VNV35NV04概述
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 30A 10-PowerSO
得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
贸泽:
Power Switch ICs - Power Distribution N-Ch 40V 30A OmniFET
艾睿:
Linear Current Limitation
VNV35NV04中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电流 30 A
漏源极电阻 10.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
输出电流Max 30 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 PowerSO-10
外形尺寸
封装 PowerSO-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买VNV35NV04
型号： VNV35NV04
描述：OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET