VNS3NV04

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VNS3NV04概述

“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description

The VNN3NV04, , VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.

Features

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ ESD protection

■ Direct access to the gate of the Power MOSFET analog driving

■ Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive

VNS3NV04中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

漏源极电阻 120 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 8300 mW

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

输出电流Max 7 A

输入数 1

耗散功率Max 8300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP

外形尺寸

封装 SOP

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VNS3NV04
型号: VNS3NV04
描述:“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
替代型号VNS3NV04
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VNS3NV04

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

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