VNS3NV04和VNS3NV04DTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNS3NV04 VNS3NV04DTR VNS3NV04D13TR

描述 “ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETMOSFET POWER AUTOPROTECT 8-SOICOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管FET驱动器

基础参数对比

封装 SOP SOP SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOP SOP SOIC-8

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

输出接口数 1 - 2

漏源极电阻 120 mΩ - 120 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 8300 mW - 4000 mW

漏源击穿电压 40.0 V - 45.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A - 3.50 A

输出电流(Max) 7 A - 3.5 A

输入数 1 - -

耗散功率(Max) 8300 mW - 4000 mW

供电电流 - - 0.1 mA

通道数 - - 2

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

输出电流(Min) - - 3.5 A

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

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