VND670SP

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VND670SP概述

双电源MOS栅极驱动桥配置的双通道高边开关 DUAL HIGH SIDE SWITCH WITH DUAL POWER MOS GATE DRIVER BRIDGE CONFIGURATION

电源开关/驱动器 1:1 30A 10-PowerSO


得捷:
IC PWR SWITCH 1:1 PWRSO10


Win Source:
DUAL HIGH SIDE SWITCH WITH DUAL POWER MOS GATE DRIVER BRIDGE CONFIGURATION


VND670SP中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 2

供电电流 40.0 mA

输出电流Max 30 A

封装参数

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买VND670SP
型号: VND670SP
描述:双电源MOS栅极驱动桥配置的双通道高边开关 DUAL HIGH SIDE SWITCH WITH DUAL POWER MOS GATE DRIVER BRIDGE CONFIGURATION
替代型号VND670SP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VND670SP

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

VND670SP13TR

意法半导体

完全替代

VND670SP和VND670SP13TR的区别

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