VND670SP和VND670SP13TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VND670SP VND670SP13TR

描述 双电源MOS栅极驱动桥配置的双通道高边开关 DUAL HIGH SIDE SWITCH WITH DUAL POWER MOS GATE DRIVER BRIDGE CONFIGURATION采用双功率MOSFET栅极驱动器(网桥配置)的双高边开关 Dual high-side switch with dual Power MOSFET gate driver(bridge configuration)

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

引脚数 - 10

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

输出接口数 2 2

供电电流 40.0 mA 40.0 mA

输出电流(Max) 30 A 30 A

封装 PowerSO-10 PowerSO-10

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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