VP2206N3-G

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VP2206N3-G概述

TO-92P-CH 60V 0.64A

This power MOSFET from Technology can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 740 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

VP2206N3-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.74 W

通道数 1

漏源极电阻 900 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 0.74 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 0.64A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 450pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 740mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

VP2206N3-G引脚图与封装图
VP2206N3-G引脚图
VP2206N3-G封装图
VP2206N3-G封装焊盘图
在线购买VP2206N3-G
型号: VP2206N3-G
制造商: Microchip 微芯
描述:TO-92P-CH 60V 0.64A
替代型号VP2206N3-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VP2206N3-G

Microchip 微芯

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