对比图
型号 VP2206N3-G VP2206N3-G-P003 2N7002LT1G
描述 TO-92P-CH 60V 0.64ATrans MOSFET P-CH 60V 0.64A 3Pin TO-92 T/RON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3
额定功率 0.74 W - 0.225 W
通道数 1 - 1
漏源极电阻 900 mΩ - 7.5 Ω
极性 P-CH - N-Channel
耗散功率 0.74 W 740mW (Tc) 200 mW
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 0.64A - 115 mA
上升时间 16 ns 16 ns -
输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 22 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 740mW (Tc) 740mW (Tc) 225mW (Ta)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 115 mA
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2.5 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
正向电压(Max) - - 1.5 V
额定功率(Max) - - 225 mW
长度 5.21 mm - 2.9 mm
宽度 4.19 mm - 1.3 mm
高度 5.33 mm - 0.94 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99