VN2460N8-G概述
VN2460N8-G 编带
In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the power MOSFET, developed by Technology. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
VN2460N8-G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.6 W
针脚数 3
漏源极电阻 20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 160 mA
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 150pF @25VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VN2460N8-G引脚图与封装图 
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