VN2222LL-G

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VN2222LL-G概述

Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip

Supertex N 通道增强型模式 MOSFET

Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。

### MOSFET 晶体管,Microchip


欧时:
### Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip


得捷:
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3


立创商城:
N沟道 60V 230mA


贸泽:
MOSFET 60V 7.5Ohm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag


Allied Electronics:
Microchip VN2222LL-G N-channel MOSFET Transistor, 0.23 A, 60 V, 3-Pin TO-92


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.75A; TO92


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag


儒卓力:
**N-CH 80V 1,0A 7.5O Ohm TO-92 **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3


VN2222LL-G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 7.5 Ω

耗散功率 1 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400mW Ta, 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.08 mm

宽度 4.06 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买VN2222LL-G
型号: VN2222LL-G
制造商: Microchip 微芯
描述:Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管 Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。 ### MOSFET 晶体管,Microchip
替代型号VN2222LL-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VN2222LL-G

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

VN2222LL-G-P013

微芯

完全替代

VN2222LL-G和VN2222LL-G-P013的区别

VN2222LL-G-P003

微芯

功能相似

VN2222LL-G和VN2222LL-G-P003的区别

VN2222LLRLRM

安森美

功能相似

VN2222LL-G和VN2222LLRLRM的区别

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