Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip
Supertex N 通道增强型模式 MOSFET
Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
### MOSFET 晶体管,Microchip
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### Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,Microchip
得捷:
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
立创商城:
N沟道 60V 230mA
贸泽:
MOSFET 60V 7.5Ohm
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
Allied Electronics:
Microchip VN2222LL-G N-channel MOSFET Transistor, 0.23 A, 60 V, 3-Pin TO-92
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.75A; TO92
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag
儒卓力:
**N-CH 80V 1,0A 7.5O Ohm TO-92 **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
耗散功率 1 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 60pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta, 1W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.08 mm
宽度 4.06 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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VN2222LL-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
VN2222LL-G-P013 微芯 | 完全替代 | VN2222LL-G和VN2222LL-G-P013的区别 |
VN2222LL-G-P003 微芯 | 功能相似 | VN2222LL-G和VN2222LL-G-P003的区别 |
VN2222LLRLRM 安森美 | 功能相似 | VN2222LL-G和VN2222LLRLRM的区别 |