VN2222LL-G和VN2222LL-G-P003

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN2222LL-G VN2222LL-G-P003 VN2222LLG

描述 Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式(常闭)DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗,低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管,MicrochipTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3Pin TO-92 T/RON SEMICONDUCTOR  VN2222LLG  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 150 mA

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 7.5 Ω 7.5 Ω 7.5 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 1 W 1 W 400 mW

阈值电压 2.5 V - 2.5 V

输入电容 - - 60.0 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 150 mA

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400mW (Ta), 1W (Tc) 400mW (Ta), 1W (Tc) 400mW (Ta)

通道数 - 1 -

长度 5.08 mm 5.21 mm 4.45 mm

宽度 4.06 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 4.32 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2018/01/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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