VN10KN3-G-P013

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VN10KN3-G-P013概述

Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3Pin TO-92 T/R

N-Channel 60V 310mA Tj 1W Tc Through Hole TO-92-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3


立创商城:
VN10KN3-G-P013


贸泽:
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin TO-92 T/R


Allied Electronics:
MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 60V, 5.0 Ohm3 TO-92 AMMO


VN10KN3-G-P013中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.5 Ω

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

输入电容Ciss 60pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

VN10KN3-G-P013引脚图与封装图
VN10KN3-G-P013引脚图
VN10KN3-G-P013封装图
VN10KN3-G-P013封装焊盘图
在线购买VN10KN3-G-P013
型号: VN10KN3-G-P013
制造商: Microchip 微芯
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3Pin TO-92 T/R
替代型号VN10KN3-G-P013
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

VN10KN3-G-P013

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