VN10KN3-G和VN10KN3-G-P013

对比图

型号 VN10KN3-G VN10KN3-G-P013 VN10KN3-G-P014

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.5 VTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 5 Ω 7.5 Ω -

耗散功率 1 W 1 W 1W (Tc)

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 1W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 60 V -

长度 5.21 mm 5.21 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Ammo Pack Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅