V12P10-E3/86A参数规格_中文资料_数据手册PDF

V12P10-E3/86A概述

高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Diode Schottky 100V 12A Surface Mount TO-277A SMPC

得捷:
DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 12 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

V12P10-E3/86A中文资料参数规格

技术参数

正向电压 700mV @12A

正向电流 12 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 200 A

正向电压Max 700mV @12A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-277

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 4.75 mm

高度 1.2 mm

封装 TO-277

物理参数

工作温度 40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买V12P10-E3/86A

型号： V12P10-E3/86A

描述：高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

替代型号V12P10-E3/86A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
V12P10-E3/86A Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
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