V12P10-E3/86A和V12P10HM3/86A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V12P10-E3/86A V12P10HM3/86A V12P10HM3/87A

描述 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-277 PowerDFN-3 TO-277

封装 TO-277 PowerDFN-3 TO-277

长度 6.15 mm - -

宽度 4.75 mm - -

高度 1.2 mm - -

工作温度 40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

正向电压 700mV @12A 700mV @12A -

正向电流 12 A - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 200 A - -

正向电压(Max) 700mV @12A 700mV @12A -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

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