W987D6HBGX7E

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W987D6HBGX7E概述

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA


W987D6HBGX7E中文资料参数规格
技术参数

供电电流 70 mA

位数 16

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

W987D6HBGX7E引脚图与封装图
W987D6HBGX7E引脚图
W987D6HBGX7E封装图
W987D6HBGX7E封装焊盘图
在线购买W987D6HBGX7E
型号: W987D6HBGX7E
描述:DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA
替代型号W987D6HBGX7E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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