对比图
型号 W987D6HBGX6I W987D6HBGX7E W987D6HBGX6E
描述 Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE, VFBGA-54DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA
数据手册 ---
制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
引脚数 54 54 54
封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54
位数 16 16 16
存取时间(Max) 6ns, 5.4ns 8ns, 5.4ns 6ns, 5.4ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -25 ℃ -25 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V
供电电流 - 70 mA -
封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ -25℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Not For New Designs
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99