W25Q128JVSIM TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

W25Q128JVSIM TR概述

NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 8Pin SOIC T/R/Tray/Tube

FLASH - NOR Memory IC 128Mb 16M x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 133MHz 8-SOIC

得捷:
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC

艾睿:
NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns Automotive 8-Pin SOIC T/R/Tray/Tube

Win Source:
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC / FLASH - NOR Memory IC 128Mb 16M x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 133 MHz 8-SOIC

W25Q128JVSIM TR中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 133 MHz

位数 8

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买W25Q128JVSIM TR

型号： W25Q128JVSIM TR

描述：NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 8Pin SOIC T/R/Tray/Tube

替代型号W25Q128JVSIM TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
W25Q128JVSIM TR Winbond Electronics 华邦电子股份	当前型号	当前型号
W25Q128JVSIM 华邦电子股份	完全替代	W25Q128JVSIM TR和W25Q128JVSIM的区别
W25Q128FVSIG TR 华邦电子股份	类似代替	W25Q128JVSIM TR和W25Q128FVSIG TR的区别
W25Q128FVSIQ TR 华邦电子股份	功能相似	W25Q128JVSIM TR和W25Q128FVSIQ TR的区别