W25Q128JVSIM TR和W25Q128FVSIG TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q128JVSIM TR W25Q128FVSIG TR W25Q128JVSIM

描述 NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 8Pin SOIC T/R/Tray/TubeNOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 7ns 8Pin SOICFLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(16M x 8) SPI - 四 I/O,QPI,DTR 133MHz 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

时钟频率 133 MHz 104 MHz 133 MHz

位数 8 8 8

存取时间(Max) 6 ns 7 ns 6 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 - 3A991.b.1.a -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台