ZXMD63C03X概述
DIODES INC. ZXMD63C03X 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
The is a dual N/P-channel enhancement-mode MOSFET utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. It is ideal for high efficiency, low voltage, DC-to-DC converters and disconnect switches applications.
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- Low ON-resistance
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- Fast switching speed
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- Low threshold
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- Low gate drive
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- Low profile
ZXMD63C03X中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.135 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.30 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MSOP
外形尺寸
封装 MSOP
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买ZXMD63C03X
型号： ZXMD63C03X
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：DIODES INC. ZXMD63C03X 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V