ZXT12N20DXTC

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ZXT12N20DXTC中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.87 W

增益频宽积 112 MHz

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 3.5A

最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 250 @10mA, 2V

额定功率Max 1.04 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.95 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ZXT12N20DXTC
型号: ZXT12N20DXTC
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Bipolar Transistors - BJT Dual 20V NPN
替代型号ZXT12N20DXTC
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