ZXT12N20DXTA和ZXT12N20DXTC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXT12N20DXTA ZXT12N20DXTC

描述 ZXT12N20DX 系列 NPN 20 V 3.5 A 1.25 W 双 硅 开关晶体管-MSOP-8Bipolar Transistors - BJT Dual 20V NPN

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 MSOP-8 TSSOP-8

频率 112 MHz -

额定电压(DC) 20.0 V -

额定电流 3.50 A -

极性 NPN NPN

耗散功率 1.25 W 0.87 W

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V

集电极最大允许电流 3.5A 3.5A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @1A, 2V 300 @1A, 2V

额定功率(Max) 1.04 W 1.04 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW -

增益频宽积 - 112 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - 250 @10mA, 2V

封装 MSOP-8 TSSOP-8

长度 - 3.1 mm

宽度 - 3.1 mm

高度 - 0.95 mm

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台