ZXTN5551FLTA

ZXTN5551FLTA图片1
ZXTN5551FLTA图片2
ZXTN5551FLTA图片3
ZXTN5551FLTA图片4
ZXTN5551FLTA图片5
ZXTN5551FLTA图片6
ZXTN5551FLTA图片7
ZXTN5551FLTA图片8
ZXTN5551FLTA图片9
ZXTN5551FLTA概述

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

Use this versatile NPN GP BJT from Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 160 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

ZXTN5551FLTA中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.33 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 80 @1mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ZXTN5551FLTA
型号: ZXTN5551FLTA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R
替代型号ZXTN5551FLTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ZXTN5551FLTA

Diodes 美台

当前型号

当前型号

MMBT5551-7-F

美台

类似代替

ZXTN5551FLTA和MMBT5551-7-F的区别

SMMBT5551LT1G

安森美

功能相似

ZXTN5551FLTA和SMMBT5551LT1G的区别

SMMBT5551LT3G

安森美

功能相似

ZXTN5551FLTA和SMMBT5551LT3G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台