SMMBT5551LT1G和ZXTN5551FLTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMMBT5551LT1G ZXTN5551FLTA SMMBT5551LT3G

描述 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3Pin SOT-23 T/R双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 HV XSTR SPCL TR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 130 MHz -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 0.33 W 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 250 80 @1mA, 5V 250

额定功率(Max) 225 mW 330 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 330 mW 300 mW

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 30 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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