ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
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额定电压DC 20.0 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 35.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
上升时间 14.8 ns
输入电容Ciss 1880pF @10VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 30.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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