对比图
型号 ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC IRF7103IPBF
描述 ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETTrans MOSFET N-CH 50V 3A 8Pin SOIC T/R
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -
额定电流 6.00 A 6.00 A -
漏源极电阻 35.0 mΩ 35.0 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 2.1 W 1.25 W 2 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -
漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V -
栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.70 A 7.70 A -
上升时间 14.8 ns 14.8 ns -
输入电容(Ciss) 1880pF @10V(Vds) 1880pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 1.8 W 1.8 W -
下降时间 30.6 ns 14.8 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2100 mW 1.8 W -
产品系列 - - IRF7103I
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -