ZXMN2A04DN8TA和ZXMN2A04DN8TC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC IRF7103IPBF

描述 ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETTrans MOSFET N-CH 50V 3A 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 6.00 A 6.00 A -

漏源极电阻 35.0 mΩ 35.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.1 W 1.25 W 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.70 A 7.70 A -

上升时间 14.8 ns 14.8 ns -

输入电容(Ciss) 1880pF @10V(Vds) 1880pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 1.8 W 1.8 W -

下降时间 30.6 ns 14.8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2100 mW 1.8 W -

产品系列 - - IRF7103I

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

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