ZXMC3A17DN8TA 编带
The is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. It is ideal for high efficiency, low voltage and LCD backlighting applications.
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- Low ON-resistance
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- Fast switching speed
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- Low threshold
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- Low gate drive
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- Low profile
额定电流 5.40 A
额定功率 2.1 W
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 1 V
输入电容 630 pF
栅电荷 15.8 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.40 A
上升时间 2.90 ns
输入电容Ciss 600pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ZXMC3A17DN8TA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZXMC3A17DN8TC 美台 | 类似代替 | ZXMC3A17DN8TA和ZXMC3A17DN8TC的区别 |