ZXMC3A17DN8TA和ZXMC3A17DN8TC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXMC3A17DN8TA ZXMC3A17DN8TC SI4532ADY-T1-GE3

描述 ZXMC3A17DN8TA 编带MOSFET N/P-CH 30V 8SOICVISHAY  SI4532ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定电流 5.40 A 5.40 A -

额定功率 2.1 W - -

通道数 2 2 -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.07 Ω 65 mΩ 0.044 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.1 W 1.25 W 1.13 W

阈值电压 1 V - 1 V

输入电容 630 pF 630 pF -

栅电荷 15.8 nC 15.8 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.40 A 5.40 A 3.70 A

上升时间 2.90 ns 2.90 ns -

输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) 600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2100 mW 1.25 W -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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