Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
SIPMOS® N 通道 MOSFET
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6433XTMA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
立创商城:
N沟道 600V 120A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, 1.9 V
艾睿:
Thanks to Infineon Technologies, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the BSP125H6433XTMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1800 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This device utilizes sipmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
SMALL SIGNAL+P-CH
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 45 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1.8 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 0.12A
上升时间 14.4 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅