JANTXV1N5612

JANTXV1N5612图片1
JANTXV1N5612概述

功率齐纳整流器 POWER ZENER RECTIFIER

Description

Zener diodes with a high surge capability qualified to MIL-S-19500/434

Features

· 1500 Watts for 1 ms Pulse Power Capability

· Small Physical Size

· Designed for MIL-STD-704A Applications


艾睿:
Microsemi&s;s JANTXV1N5612 TVS diode is designed to protect electronic components and circuits from electrical overstress from overvoltage and electrostatic discharge. This device&s;s maximum clamping voltage is 78.5 V and minimum breakdown voltage is 54 V. Its maximum leakage current is 5 μA. Its peak pulse power dissipation is 1500 W. Its test current is 1 mA. This TVS diode has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin Case G Bag


JANTXV1N5612中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 78.5 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 54 V

击穿电压 54 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 G

外形尺寸

封装 G

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV1N5612
型号: JANTXV1N5612
描述:功率齐纳整流器 POWER ZENER RECTIFIER
替代型号JANTXV1N5612
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