MICROCHIP LND150N8-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET
的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
### 特点
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
### 典型应用
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信
额定功率 1.6 W
针脚数 3
漏源极电阻 850 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 0.03A
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 7.5pF @25VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 1300 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
LND150N8-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
LND150N8 超科 | 功能相似 | LND150N8-G和LND150N8的区别 |