LND150N8和LND150N8-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LND150N8 LND150N8-G

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4Pin(3+Tab) SOT-89MICROCHIP  LND150N8-G  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 500 V, 850 ohm, 0 V

数据手册 --

制造商 Supertex (超科) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3

封装 SOT-89 SOT-89-3

漏源极电阻 1.00 kΩ 850 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.6 W 1.6 W

漏源击穿电压 500 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA 0.03A

额定功率 - 1.6 W

针脚数 - 3

漏源极电压(Vds) - 500 V

上升时间 - 450 ns

输入电容(Ciss) - 7.5pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.6 W

下降时间 - 1300 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.6W (Ta)

通道数 - -

封装 SOT-89 SOT-89-3

长度 - 4.6 mm

宽度 - 2.6 mm

高度 - 1.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - PB free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

HTS代码 8541900000 -

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