MT29F64G08CBCABH1-10Z:A参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT29F64G08CBCABH1-10Z:A概述

MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 20ns 100Pin VBGA

FLASH - NAND Memory IC 64Gb 8G x 8 Parallel 100MHz 100-VBGA 12x18

得捷:
IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA

艾睿:
MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64G-bit 8G x 8 20ns 100-Pin VBGA

Chip1Stop:
MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8bit 20ns 100-Pin VBGA

Verical:
MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64G-bit 8G x 8 20ns 100-Pin VBGA

MT29F64G08CBCABH1-10Z:A中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3.30 V

供电电流 50 mA

内存容量 8000000000 B

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 100

封装 VBGA-100

外形尺寸

封装 VBGA-100

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买MT29F64G08CBCABH1-10Z:A

型号： MT29F64G08CBCABH1-10Z:A

描述：MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 20ns 100Pin VBGA

替代型号MT29F64G08CBCABH1-10Z:A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MT29F64G08CBCABH1-10Z:A Micron 镁光	当前型号	当前型号
MT29F64G08CBCBBH1-10:B 镁光	完全替代	MT29F64G08CBCABH1-10Z:A和MT29F64G08CBCBBH1-10:B的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MT29F64G08CBCABH1-10Z:A

Micron 镁光

当前型号

MT29F64G08CBCBBH1-10:B

镁光

完全替代