MT29F64G08CBCABH1-10Z:A和MT29F64G08CBCBBH1-10:B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F64G08CBCABH1-10Z:A MT29F64G08CBCBBH1-10:B

描述 MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 20ns 100Pin VBGAMLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64G-bit 8G x 8 100Pin VBGA

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 100 100

封装 VBGA-100 BGA

工作电压 3.30 V 3.30 V

供电电流 50 mA -

内存容量 8000000000 B 8000000000 B

存取时间(Max) 20 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

位数 - 8

封装 VBGA-100 BGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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