MS1226

MS1226图片1
MS1226概述

射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

RF


得捷:
RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113


艾睿:
Trans RF BJT NPN 36V 4.5A 4-Pin Style M113


MS1226中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 80000 mW

击穿电压集电极-发射极 36 V

增益 18 dB

最小电流放大倍数hFE 10 @500mA, 5V

额定功率Max 80 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 M113

外形尺寸

高度 7.11 mm

封装 M113

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MS1226
型号: MS1226
描述:射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
替代型号MS1226
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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