对比图
型号 BLW83 MS1226
描述 RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, FM-4射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
数据手册 --
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
封装 - M113
安装方式 - Screw
引脚数 - 4
封装 - M113
高度 - 7.11 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Bulk
耗散功率 - 80000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 36 V
增益 - 18 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 10 @500mA, 5V
额定功率(Max) - 80 W
工作温度(Max) - 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 80000 mW
工作温度 - 200℃ (TJ)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99