MUN5335DW1T2

MUN5335DW1T2图片1
MUN5335DW1T2中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-88

外形尺寸

封装 SC-88

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5335DW1T2
型号: MUN5335DW1T2
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V
替代型号MUN5335DW1T2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUN5335DW1T2

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

MUN5335DW1T2G

安森美

完全替代

MUN5335DW1T2和MUN5335DW1T2G的区别

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