MUN5335DW1T2和MUN5335DW1T2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5335DW1T2 MUN5335DW1T2G

描述 1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SC-88 SC-70-6

引脚数 - 6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

耗散功率 - 0.385 W

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW

封装 SC-88 SC-70-6

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

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