SI7431DP-T1-GE3

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SI7431DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7431DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -200 V, 145 mohm, -10 V, -4 V

The is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.

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Ultra-low ON-resistance
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Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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100% Rg tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range
SI7431DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.145 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5.4 W

漏源极电压Vds -200 V

连续漏极电流Ids -2.20 A

上升时间 49 ns

下降时间 66 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7431DP-T1-GE3
型号: SI7431DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7431DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -200 V, 145 mohm, -10 V, -4 V
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