对比图
型号 SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7431DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, POWERPAK-SO, 整卷VISHAY SI7431DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -200 V, 145 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 PowerPAK SO PowerPAK SO
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.145 Ω 0.145 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.9 W 5.4 W
漏源极电压(Vds) -200 V -200 V
连续漏极电流(Ids) -3.80 A -2.20 A
上升时间 - 49 ns
下降时间 - 66 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
封装 PowerPAK SO PowerPAK SO
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15