SI4100DY-T1-E3

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SI4100DY-T1-E3概述

N-Channel 100V 63mΩ 20NC SMT TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
N-Channel 100 V 63 mΩ 20 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


SI4100DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.084 Ω

耗散功率 6 W

输入电容 600pF @50V

漏源极电压Vds 100 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4100DY-T1-E3
型号: SI4100DY-T1-E3
描述:N-Channel 100V 63mΩ 20NC SMT TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8

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