SIR166DP-T1-GE3

SIR166DP-T1-GE3图片1
SIR166DP-T1-GE3图片2
SIR166DP-T1-GE3图片3
SIR166DP-T1-GE3图片4
SIR166DP-T1-GE3图片5
SIR166DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 3340pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOP

外形尺寸

高度 1.07 mm

封装 SOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR166DP-T1-GE3
型号: SIR166DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR166DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 2600 µohm, 10 V, 1.2 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台