SI4403BDY-T1-GE3

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SI4403BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 14 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.35 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4403BDY-T1-GE3
型号: SI4403BDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4403BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -20 V, 14 mohm, -4.5 V, -450 mV
替代型号SI4403BDY-T1-GE3
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