对比图
型号 SI4403BDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4403BDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -20 V, 14 mohm, -4.5 V, -450 mVVISHAY SI4403CDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 14 mΩ 0.0125 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 1.35 W 5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 5 W
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.55 mm
封装 SOIC SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99