SIR698DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR698DP-T1-GE3概述

VISHAY SIR698DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 0.162 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for LED monitor applications.

SIR698DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.162 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 23 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 210pF @50VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 23 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.12 mm

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： SIR698DP-T1-GE3

描述：VISHAY SIR698DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 0.162 ohm, 10 V, 2.5 V