VISHAY SI9926CDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter application.
贸泽:
MOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
SI9926CDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Module, 8 A, 20 V, 8-Pin SOIC
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
双 N沟道 20 V 0.018 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 3.1W; SO8
Newark:
# VISHAY SI9926CDY-T1-E3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 V
额定功率 3.1 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.5 V
输入电容 1200pF @10V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 10.0 ns
热阻 32℃/W RθJA
输入电容Ciss 1200pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI9926CDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6892A 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI9926CDY-T1-E3和FDS6892A的区别 |