对比图
型号 FDS6892A SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6892A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 900 mVVISHAY SI9926CDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 1.5 VVISHAY SI9926CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 NSOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 7.50 A - -
通道数 2 - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 18 mΩ 0.018 Ω 0.015 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 3.1 W 3.1 W
阈值电压 900 mV 1.5 V 1.5 V
输入电容 1.33 nF 1200pF @10V -
栅电荷 12.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20 V 20 V -
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 7.50 A 8.00 A 8.00 A
上升时间 15 ns 10.0 ns -
输入电容(Ciss) 1333pF @10V(Vds) 1200pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 900 mW - -
下降时间 9 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2 W 2000 mW -
额定功率 - 3.1 W -
热阻 - 32℃/W (RθJA) -
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 3.9 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 NSOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active - -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -