SPB80N06S2L-11参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPB80N06S2L-11概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

N-Channel 55V 80A Tc 158W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Win Source:
OptiMOS Power-Transistor

SPB80N06S2L-11中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 158W Tc

输入电容 2.65 nF

栅电荷 80.0 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 2650pF @25VVds

额定功率Max 158 W

耗散功率Max 158W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： SPB80N06S2L-11

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

替代型号SPB80N06S2L-11