SI7682DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7682DP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

N-Channel 30V 20A Tc 5W Ta, 27.5W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

SI7682DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 5W Ta, 27.5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

输入电容Ciss 1595pF @15VVds

耗散功率Max 5W Ta, 27.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7682DP-T1-GE3

型号： SI7682DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

替代型号SI7682DP-T1-GE3