SI8405DB-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI8405DB-T1-E3概述

MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

P-Channel 12V 3.6A Ta 1.47W Ta Surface Mount 4-Microfoot

得捷:
MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT

SI8405DB-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 55.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.47W Ta

漏源极电压Vds 12 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -3.60 A

耗散功率Max 1.47W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 4-Microfoot

外形尺寸

封装 4-Microfoot

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8405DB-T1-E3

型号： SI8405DB-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP