SI8417DB-T2-E1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI8417DB-T2-E1概述

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

P-Channel 12V 14.5A Tc 2.9W Ta, 6.57W Tc Surface Mount 6-Micro Foot™ 1.5x1

得捷:
MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT

贸泽:
MOSFET 12V 14.5A 6.57W

SI8417DB-T2-E1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.9W Ta, 6.57W Tc

漏源极电压Vds 12 V

输入电容Ciss 2220pF @6VVds

耗散功率Max 2.9W Ta, 6.57W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MicroFoot-6

外形尺寸

长度 2.36 mm

宽度 1.56 mm

高度 0.6 mm

封装 MicroFoot-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8417DB-T2-E1

型号： SI8417DB-T2-E1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP